一、设计工况参数

1.1 原始设计参数：

年产XXX吨四氯化硅，年操作工时8000h，X套合成炉，四氯化硅合成炉出口温度800-1100℃, 合成气组成状况：四氯化硅≦40-60%，氮气40-60%，含有大量固体粉尘 (如硅粉)和金属杂质(如铝、铁、镍等)及氯化亚铁粉15% 合成气流量 2800-6000标方/小时，设计压力一个标准大气压，工作压力标准大气压，设计温度 常温，工作温度  常温。

1.2除尘装置设计技术指标

烟尘排放浓度<10mg/m3

二、干法除尘装置工艺技术方案

2.1干法除尘工艺原理：

四氯化硅的合成气体在沸腾床式反应合成炉内反应生成。从四氯化硅合成炉顶部排出混合合成气，混合合成气中往往还夹带有含氯化亚铁粉，如果不及时去除其中的含氯化亚铁粉，会导致下游管道及设备磨损严重，也容易产生堵塞，不利于生产系统的平稳运行，因此混合合成气会依次通过二燃室+一级风冷器+二级风冷器+旋风分离器、除尘器和等分离灰的装置，得到四氯化硅气体，再冷凝尾气四氯化硅从气相转变为液相，液态四氯化硅回收利用，减少尾气排放与处理量。

本四氯化硅生产过程中废粉除尘工艺：

2.2 四氯化硅合成系统性能参数表规格型号：（单台炉套）

设备型号及单套数量如下：

卖方提供的设备为成套设备，包括筒体、分布器、封头、滤材、气包、控制柜、电磁阀、就地监测仪表等主要部件

2.2.1卖方提供的除尘设备为成套设备，包括筒体、分布器、封头、滤材、气包、控制柜、电磁阀、就地监测仪表等主要部件，但不限于以上部件。

2.2.2除尘器筒体法兰标准选用NB/T47023-2012，与工艺管线、阀门连接法兰标准选用HG/T20592(B)-2009

2.2.3卖方提供除尘器泄放、反吹控制方案、控制逻辑图。

2.2.4卖方提供除尘器现场控制柜与反吹装置间的线缆。

2.2.5除尘器的控制信号以硬接线或通讯的方式与买方的DCS系统相连接，并能接受买方的DCS系统的干接点信号用于控制除尘器的反吹和泄放。PLC预留通讯接口，并配合DCS厂家实施组网通讯。

2.2.6卖方提供除尘器全套装置配件的清单、型号、材质、数量等相关说明。

2.2.7方的管路系统应包括管路、阀门、就也仪表及所有相关附件。在供货界区的所有接口处配带配对法兰及其紧固件。

2.2.3、分工与接口划分

1.   电源由需方负责将380V，220V电源接入供方控制柜，控制柜到设备之内的全由供方负责。

2.   除尘灰输送位置界限：除尘器下部灰斗卸料阀出口处。

4.   烟气管道界限：进口管道分界点在除尘器进口法兰处：出口管道分界点在除尘器出口法兰处。

5.   压缩氮气管网界限：气源分界点除尘器气包用气接口处和用气接口处；